GaAs MESFET准二维动态大信号模型

• 作者: 王静 邓先灿
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 大信号模型 电荷控制法 自升温效应 准二维分析
• 年，卷（期）: 2000,（8）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 143-145
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 2684字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2000.08.044

摘要

本文运用电荷控制分析方法,提出了GaAs MESFET以电荷源为基本组成元件的大信号非线性动态模型.该模型在解决了电荷不守恒问题以及DC与RF电流不一致性问题的同时,结合器件的温度特性与自升温效应,实现了GaAs MESFET的准二维大信号动态分析.