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C波段4W功率GaAs MESFET制作技术
C波段4W功率GaAs MESFET制作技术
作者:
刘佑宝
顾聪
原文服务方:
微电子学与计算机
匹配网络
微波功率管
功率附加效率
摘要:
文章主要介绍了已研制的C波段5.2~5.8GHz 4W GaAs MESFET功率管制作技术,包括将匹配网络等效电路元件参数换算成集总和分布式元件的方法,及匹配网络工艺制作技术,最后,获得的成品功率管的测量值与模拟计算结果吻合.
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文献信息
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引文网络
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期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
C波段4W功率GaAs MESFET制作技术
来源期刊
微电子学与计算机
学科
关键词
匹配网络
微波功率管
功率附加效率
年,卷(期)
2001,(1)
所属期刊栏目
微电子技术
研究方向
页码范围
37-41
页数
5页
分类号
TN4
字数
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1000-7180.2001.01.009
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
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1
刘佑宝
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9.0
13.0
2
顾聪
8
27
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匹配网络
微波功率管
功率附加效率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
主办单位:
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7180
CN:
61-1123/TN
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1972-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
总被引数(次)
59060
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