S波段0.3W AlGaAs/GaAs HBT功率管

• 作者: 严北平 张鹤鸣 戴显英
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管 功率特性 S波段
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 350-353
• 页数: 4页
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 1910字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.021

摘要

采用标准的湿法刻蚀工艺研制出了S波段工作的非自对准AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管．对于总面积为8×2μm×10μm的HBT器件，测得其直流电流增益大于10，电流增益截止频率fT大于20GHz，最高振荡频率fmax大于30GHz．连续波功率输出为0.3W，峰值功率附加效率41％．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子学研究所	55	329	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学研究所	102	510	12.0	16.0
3	严北平	西安电子科技大学微电子学研究所	5	7	2.0	2.0