GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究

• 作者: 张玉清 林爱清 邓彩玲 陈丽容 陈小红 陈松岩
• 来源期刊: 厦门大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/InP异质材料 光致发光谱 Raman谱 金属-半导体场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学·技术科学
• 页码范围: 759-762
• 页数: 4页
• 分类号: TN325.3
• 字数: 2562字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2002.06.017

摘要

用低压金属有机气相外延(LP-MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料,并对材料进行Raman、光致发光(PL)谱的测试分析,结果表明在GaAs/InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移;PL谱峰较强,16 K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰,表明了GaAs外延层的晶体质量较好.以此生长方法制备了金属-半导体场效应晶体管(MESFET),其单位跨导可达200 ms/mm.该器件已经达到GaAs同质结构的器件水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈小红	厦门大学物理系	17	133	5.0	11.0
2	邓彩玲	厦门大学物理系	9	49	3.0	7.0
3	陈松岩	厦门大学物理系	68	248	8.0	12.0
4	林爱清	厦门大学物理系	9	50	3.0	7.0
5	张玉清		2	0	0.0	0.0
6	陈丽容	厦门大学物理系	2	1	1.0	1.0