基于MOCVD的InP/GaAs异质外延生长

• 作者: 任晓敏 周静 熊德平 王琦 蔡世伟 黄永清 黄辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 异质外延 InP GaAs MOCVD 低温缓冲层
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 190-192
• 页数: 3页
• 分类号: O485
• 字数: 1630字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.046

摘要

使用金属有机物气相沉积方法(MOCVD),在GaAs衬底上生长InP外延层.先在GaAs衬底上生长一层低温InP缓冲层,然后再生长InP外延层.通过比较不同缓冲层生长条件下的外延层晶体质量,发现在生长温度为450℃,厚度约15nm的缓冲层上外延所得到的晶体质量最理想;此外,外延层厚度的增加对其晶体质量有明显改善作用.实验在优化生长条件的同时,也考虑了热退火等辅助工艺,最后所获得的外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)的ω/2θ扫描外延峰半高全宽(FWHM)值为238.5".

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周静	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	6	19	2.0	4.0
2	黄永清	北京邮电大学继续教育学院	196	987	13.0	18.0
3	黄辉	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	59	282	10.0	12.0
4	王琦	北京邮电大学继续教育学院	82	480	13.0	19.0
5	熊德平	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	5	8	2.0	2.0
6	蔡世伟	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	3	0	0.0	0.0