固态源分子束外延法生长InGaP/GaAs异质结构的热力学分析

• 作者: 叶志成 姚江宏 曹雪 皮彪 舒永春 许京军 邢晓东
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 热力学 固态源分子束外延 InGaP GaAs 异质结构
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 1406-1411
• 分类号: O484
• 语种: 中文

摘要

本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附.所得到的模型与现有实验结果匹配较好.该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中,生长温度,In/Ga束流比及合金组分之间的相互关系,同时也与实验数据相吻合.该模型对于其他气相沉积生长方式也具有一定的适用性.