MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性

• 作者: 元光 宋航 缪国庆 蒋红 金亿鑫
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 InP/GaInAsP 分布布喇格反射结构
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 632-636
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2943字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2003.06.016

摘要

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法InP衬底上成功地制备了GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的分布布喇格反射镜(DBR)结构以及与之相关的四元合金GaxIn1-xAsyP1-y和InP外延层.利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、低温光致发光(PL)光谱等测量手段对材料的物理特性进行了表征.结果表明,在InP衬底上生长的InP外延层和四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层77K光致发光(PL)谱线半峰全宽(FWHM)分别为 9.3meV和32meV,说明形成DBRs结构的交替层均具有良好的光学质量.X射线衍射测量结果表明,四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层与InP衬底之间的相对晶格失配仅为1×10-3.GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的DBR结构每层膜的光学厚度约为λ/4n(λ＝1.55μm).根据多层膜增反原理计算得出当膜的周期数为23时,反射率可达90%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	缪国庆	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	15	45	4.0	5.0
2	金亿鑫	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	12	54	5.0	6.0
3	蒋红	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	13	45	4.0	5.0
4	元光	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	3	16	3.0	3.0
5	宋航	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	15	37	4.0	5.0