基于InP衬底的晶格失配In0.68Ga0.32As的MOCVD生长及其特性研究

• 作者: 季莲 朱亚旗 谭明 赵勇明 陆书龙 陈治明
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 社会科学
• 关键词: In0.68Ga0.32As 应力释放 InAsxP1-x
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 页码范围: 118-121
• 页数: 4页
• 分类号: G316
• 字数: 3177字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2013.00118

摘要

采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μm In0.68 Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力,在InP衬底上得到了与In0.68Ga0.32 As晶格匹配的InAsxP1-x“虚拟”衬底,通过对缓冲层厚度的优化,使应力能够在“虚拟”衬底上完全豫弛.通过原子力显微镜(AFM)、高分辨XRD、透射电镜(TEM)和光致发光(PL)等测试分析表明,这种释放应力的方法能够有效提高In0.68 Ga0.32 As外延层的晶体质量.