InP/GaP晶格失配界面的电特性

• 作者: Aristo Yulius Christine C.Broadbridge Jerry M.Woodall 孙艳宁 李果华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 晶格失配 InP/GaP界面 缺陷
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 1022-1025
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.05.013

摘要

本文研究了InP/GaP晶格失配界面的电特性.HRTEM图象表明在界面存在90°位错缺陷的应变缓释.ECV表明界面存在高密度载流子层.AFM图象表明本研究中获得了粗糙度为2.48nm的良好InP异质外延层.并对于InP界面给出了一个基于费米能级钉扎的模型来解释观察到的电性质.