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摘要:
通过对直接键合InP-GaAs结构的红外吸收光谱分析以及断面扫描电子显微镜观察发现,样品制备过程中不均匀的外加压强导致InP-GaAs交界面局部出现了不连续过渡的空间层,实验上将熔融石蜡渗透并被填充到该空间层,利用其对3.509μm波长光的强烈吸收特性可表征这种局部的键合不连续区域,二维扫描测试样品不同区域的吸收谱得到3.509μm波长吸收强度等值线图,从而描绘出外加压强的不均匀分布.实验上通过改进键合装置的施压均匀性,得到了连续过渡界面且均匀键合的InP-GaAs结构,利用这种均匀键合技术有望制备大尺寸器件例如光学微腔等.
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关键词云
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文献信息
篇名 直接键合InP-GaAs结构界面的特性研究
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 晶片直接键合 界面 红外吸收光谱
年,卷(期) 2005,(9) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 4334-4339
页数 6页 分类号 O4
字数 3632字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.09.067
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 劳燕锋 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 24 69 5.0 7.0
2 吴惠桢 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 23 87 6.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
晶片直接键合
界面
红外吸收光谱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
相关基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:National Basic Research Program of China
官方网址:http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:农业
论文1v1指导