直接键合InP-GaAs结构界面的特性研究

• 作者: 劳燕锋 吴惠桢
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 晶片直接键合 界面 红外吸收光谱
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4334-4339
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3632字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.09.067

摘要

通过对直接键合InP-GaAs结构的红外吸收光谱分析以及断面扫描电子显微镜观察发现,样品制备过程中不均匀的外加压强导致InP-GaAs交界面局部出现了不连续过渡的空间层,实验上将熔融石蜡渗透并被填充到该空间层,利用其对3.509μm波长光的强烈吸收特性可表征这种局部的键合不连续区域,二维扫描测试样品不同区域的吸收谱得到3.509μm波长吸收强度等值线图,从而描绘出外加压强的不均匀分布.实验上通过改进键合装置的施压均匀性,得到了连续过渡界面且均匀键合的InP-GaAs结构,利用这种均匀键合技术有望制备大尺寸器件例如光学微腔等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	劳燕锋	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	24	69	5.0	7.0
2	吴惠桢	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	23	87	6.0	7.0