直接键合硅片界面键合能的理论分析

• 作者: 余金中 王启明 韩伟华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 键合能 激活能 退火
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 140-144
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 3757字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.02.007

摘要

直接键合硅片界面的键合能依赖于界面成键的密度，是退火温度和时间的函数，界面反应激活能决定着成键的行为．硅片键合能随退火温度分两步增加，这种现象被归因于界面反应存在两种不同的激活能．将硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合界面在退火过程中的行为进行了理论分析与比较．硅本征氧化层的键合能随温度的增加要比热氧化层界面的大．键合能的饱和时间与激活能密切相关．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	118	735	14.0	20.0
2	余金中	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	110	703	13.0	21.0
3	韩伟华	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	20	98	5.0	9.0