芯片引线键合点失效的俄歇电子能谱分析

• 作者: 李雨辰 蔺娴
• 来源期刊: 材料研究与应用
• 关键词: AES 深度剖析 芯片 键合点
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 分析与检测
• 页码范围: 205-207
• 页数: 3页
• 分类号: TB304
• 语种: 中文

摘要

采用俄歇电子能谱法（A ES ），对某芯片的正常引线键合点和失效引线键合点进行了分析。实验结果表明：失效引线键合点表面出现了Cl元素，其失效原因是在键合点处形成的氯化物腐蚀键合点，导致键合点失效；溅射20 min后，键合点内发生Ni金属的迁移，这也是导致键合点失效的原因之一。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔺娴	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	4	1.0	2.0
2	李雨辰	中国电子科技集团公司第四十六研究所	6	14	3.0	3.0