GaAs-GaN键合界面热应力的电子背散射衍射研究

• 作者: 吉元 吴迪 周美玲 沈光地 田彦宝 索红莉 赵跃 郭霞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs-GaN 热应力 晶片键合 电子背散射衍射(EBSD)
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 1091-1096,1116
• 页数: 7页
• 分类号: TN454
• 字数: 3694字
• 语种: 中文

摘要

采用扫描电镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)技术,观察和分析了GaAs和GaN晶片热压键合的界面热应力和晶片键合质量.利用EBSD测量了GaAs-GaN键合界面的菊池花样质量、晶格转动、晶格错配和位错密度等应力敏感参数.结果表明,晶片键合质量良好,键合界面中心区域的热应力小于边缘区域的热应力.GaN层和GaAs层中的应力影响范围,在中心区域分别约为100 nm和300 nm,在边缘区域分别约为100 nm和500nm.EBSD显示的应力分布图与模拟应力场相似.模拟和计算表明,最大剥离应力和剪切应力分布在键合界面的边缘.剥离应力是导致晶片解键合的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吉元	北京工业大学固体微结构与性能研究所	42	159	7.0	9.0
2	沈光地	北京工业大学光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
3	周美玲	北京工业大学材料学院	130	2123	22.0	42.0
4	索红莉	北京工业大学材料学院	58	156	8.0	10.0
5	田彦宝	北京工业大学固体微结构与性能研究所	8	26	4.0	4.0
6	吴迪	北京工业大学光电子技术实验室	19	109	6.0	9.0
7	郭霞	北京工业大学光电子技术实验室	54	397	11.0	16.0
8	赵跃	北京工业大学材料学院	13	48	3.0	6.0