GaAs/InP键合电学性质的研究

• 作者: 何国荣 杨国华 渠红伟 郑婉华 陈良惠
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 材料 界面态密度 热电子发射 键合
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 469-473
• 分类号: O485
• 字数: 1675字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2010.04.015

摘要

Ⅲ-Ⅴ族晶片键合技术对于光电器件的制备和实现光电集成有着重要意义,然而,对于键合界面的电学性质仍然研究较少.采用热电子发射理论,基于界面态能级在禁带中连续分布的假设,根据分布函数结合Ⅰ-Ⅴ测试曲线可建立键合结构的界面态计算模型.利用该模型对不同条件下键合的InP/GaAs电学性质做了分析比较,通过初始势垒的确定,计算并比较了各种键合条件下GaAs/InP键合时的界面电荷及界面态密度.实验及计算结果表明疏水处理表面550℃条件下键合晶片对有更低的表面初始势垒和更少的界面态密度,具有更好的Ⅰ-Ⅴ特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈良惠	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	59	338	11.0	15.0
2	何国荣	深圳信息职业技术学院电子通信技术系	16	41	4.0	5.0
3	渠红伟	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	12	34	3.0	5.0
4	郑婉华	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	23	102	7.0	9.0
5	杨国华	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	11	72	3.0	8.0