Si/Si键合结构的电学性质测量及模拟

• 作者: 何国荣 谢生 陈松岩
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体物理 键合 半导体/氧化层/半导体模型(SOS) 界面态
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 光电技术与材料
• 页码范围: 381-386
• 页数: 6页
• 分类号: O472.4
• 字数: 2907字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2004.03.020

摘要

研究Si/Si键合的电学性质对于界面研究和微电子器件的制备有着重要意义.分析了亲水处理方法键合的不同Si/Si键合结构的I-V特性,然后用SOS模型对n-Si/n-Si的C-V特性做了计算机辅助模拟,并和实际C-V曲线比较得出了平带电压VFB和界面态密度Din,这些结果对于键合的界面性质的了解和研究都是有意义的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈松岩	厦门大学物理系	68	248	8.0	12.0
2	谢生	厦门大学物理系	9	62	6.0	7.0
3	何国荣	厦门大学物理系	11	74	6.0	8.0