AlGaInP/Si的键合研究

• 作者: 刘志强 梁萌 王国宏 王良臣 范曼宁 郭德博
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 键合 AlGaInP I-V特性 金锡合金
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 558-560
• 页数: 3页
• 分类号: TN405.96
• 字数: 1684字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.143

摘要

金锡(AuSn)合金作为粘合介质,实现了AlGaInP/Si的异质键合.在室温下键合样品的I-V特性表明AuSn合金对载流子通过界面未见不良影响,截面的显微照片表明键合质量良好.反射谱测试表明键合合金层可以作为反射器,这一特征是AlGaInP发光器件与Si集成的有利条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘志强	中国科学院半导体研究所	280	3753	31.0	42.0
2	王国宏	中国科学院半导体研究所	41	1911	17.0	41.0
3	王良臣	中国科学院半导体研究所	31	192	8.0	13.0
4	梁萌	中国科学院半导体研究所	5	64	3.0	5.0
5	范曼宁	中国科学院半导体研究所	4	61	2.0	4.0
6	郭德博	中国科学院半导体研究所	5	66	3.0	5.0