纳米晶Si在高压下的电学性质与金属化相变

• 作者: 何宇亮 柳翠霞 王卫乡 陈伟 鲍忠兴
• 来源期刊: 高压物理学报
• 关键词: 纳米晶Si 电阻 电容 金属化相变
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 页码范围: 133-137
• 页数: 5页
• 分类号: O521.12|O738|O792
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5773.1999.02.009

摘要

在金刚石压砧装置上,采用电阻和电容测量方法,研究了粒径为15～18nm和80nm的纳米晶Si在室温下、24GPa内的电阻、电容与压力的关系.实验结果表明,它们分别在19～17GPa和14GPa左右发生了金属化相变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈伟	中国科学院半导体材料科学开放实验室	252	3013	27.0	47.0
2	何宇亮		11	181	5.0	11.0
3	鲍忠兴	中国科学院物理研究所	8	18	2.0	3.0
7	王卫乡		4	16	2.0	4.0
8	柳翠霞	中国科学院物理研究所	5	12	2.0	3.0