Hg1-xCdxTe在高压下的电学性质、状态方程与相变

• 作者: 刘克岳 李标 柳翠霞 王金义 褚君浩 顾惠成 鲍忠兴
• 来源期刊: 高压物理学报
• 关键词: 电阻 电容 状态方程 相变
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 28-32
• 页数: 5页
• 分类号: O521+.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5773.2000.01.005

摘要

在金刚石压砧装置上,采用电阻和电容测量方法研究了Hg1-xCdxTe(x＝0.19,0.22)在室温下、20GPa内的电阻、电容与压力的关系.实验结果表明:它们分别在0.7～1.8GPa与8.6GPa左右以及在1.6GPa左右与8.3GPa左右发生了两次电子结构相变;分别在2GPa左右与8.6GPa以上以及在1.6GPa左右与8.3GPa以上发生了两次晶体结构相变.同时,还在活塞-圆筒式p-V关系测量装置上研究了Hg1-xCdxTe(x＝0.21)在室温下、4.5GPa内的p-V关系.实验结果发现它在2.1GPa左右发生了相变.给出了它在相变前后的状态方程.