CoSi2薄膜电学性质研究

• 作者: 张世表 李秀燕 李麓维 潘士宏
• 来源期刊: 太原理工大学学报
• 关键词: 硅化物 电阻率 织构
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 页码范围: 191-193
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9432.1999.02.023

摘要

对厚度约为0.4 μm的CoSi2多晶薄膜的电学性质进行了研究.在-200℃～20℃温度范围,测量了CoSi2薄膜的电阻率.室温下,电阻率为9～20 μΩ.cm.随着温度的降低,电阻率减小,且表现出较好的直线性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李秀燕	太原理工大学文理学院	35	160	6.0	12.0
2	张世表		1	2	1.0	1.0
3	潘士宏		3	6	2.0	2.0
4	李麓维		2	2	1.0	1.0