Co/C/Si(100)结构固相外延生长CoSi2

• 作者: Paul K.Chu S.P.Wong W.Y.Cheung 屈新萍 徐蓓蕾 李炳宗 茹国平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 固相反应 固相外延 金属硅化物
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 63-67
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.54
• 字数: 3617字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.01.013

摘要

采用Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在Si(100)上制备外延CoSi2薄膜.用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性、组分、晶体结构等进行了表征.结果表明,Co/C/Si多层结构经快速热退火,可以在Si(100)衬底上得到导电性能和高温稳定性良好的CoSi2薄膜.C层的加入阻碍了Co和Si的互扩散和互反应,从而促进了CoSi2在硅衬底上的外延.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	W.Y.Cheung	香港中文大学电子工程系	3	19	3.0	3.0
2	S.P.Wong	香港中文大学电子工程系	5	20	3.0	4.0
3	Paul K.Chu	香港城市大学物理和材料科学系	6	83	4.0	6.0