固相反应制备的多晶和外延CoSi2/n-Si(111)接触的肖特基特性

• 作者: 屈新萍 李炳宗 竺士炀 茹国平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基势垒 硅化物 I-V/C-V 不均匀性
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 689-694
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1347字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.003

摘要

通过硅(111)衬底淀积的单层Co或Co/Ti双金属层在不同退火温度的固相反应,在硅上形成制备了多晶和外延CoSi2薄膜.用电流-电压和电容-电压(I-V/C-V)技术在90K到室温的温度范围内测量了CoSi2/Si肖特基接触特性. 用肖特基势垒不均匀模型分析了所测得的I-V特性,在较高温度下(≥～200K)或较低温度的较大偏压区域,I-V曲线能用热激发和在整个结面积上势垒高度的高斯分布模型描述. 而在较低温度的较小偏压区域,电流由流过一些小势垒高度微区的电流决定,从而在低温I-V曲线上在约10-7A处有一个"曲折”. 在室温下,从I-V曲线得到的多晶CoSi2/Si的势垒高度为约0. 57eV. 对外延CoSi2,势垒高度依赖于最后退火温度,当退火温度从700℃升到900℃,势垒高度从0. 54eV升高到0. 60eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	茹国平	复旦大学电子工程系	21	95	5.0	9.0
2	屈新萍	复旦大学电子工程系	19	84	5.0	8.0
3	李炳宗	复旦大学电子工程系	21	90	5.0	9.0
4	竺士炀	复旦大学电子工程系	8	59	4.0	7.0