脉冲电沉积制备InSb/Sb超晶格纳米线阵列

• 作者: 刘飞 吴玉程 杨友文 解挺 陈延彪
• 来源期刊: 化工学报
• 关键词: 脉冲电沉积 InSb/Sb超晶格 组分 结构
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 材料化学工程与纳米技术
• 页码范围: 870-874
• 分类号: O782+.9
• 语种: 中文

摘要

采用脉冲电沉积技术在氧化铝模板中制备得到直径60 nm的InSb/Sb超晶格纳米线阵列,并运用扫描电镜、透射电镜和电子能谱仪对其形貌与结构进行了表征与测试.高度有序的Insb/Sb超晶格纳米线长度约为40μm,其长径比超过600.实验中,通过改变沉积电压与时间达到了对超晶格纳米线组分与结构的控制,纳米线阵列中In与Sb的原子质量比接近于1/2,在每个周期中,InSb的厚度为12 nm,Sb的厚度为20 nm.超晶格纳米线生长过程的研究表明:温度、电压等工艺参数对超晶格纳米线的生长有着重要影响,在沉积过程中,Sb的沉积速率要大于InSb的沉积速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴玉程	合肥工业大学材料科学与工程学院	356	3745	28.0	45.0
2	刘飞	合肥工业大学化学工程学院	17	161	7.0	12.0
3	解挺	合肥工业大学机械与汽车工程学院	91	1358	20.0	32.0
4	杨友文	合肥工业大学化学工程学院	34	187	7.0	13.0
5	陈延彪	合肥工业大学化学工程学院	2	7	2.0	2.0