直流电沉积制备纳米铜丝阵列

• 作者: 万小波 周兰 张伟 方瑜 杜凯 肖江
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 三氧化二铝膜板 直流电沉积 纳米铜丝阵列
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 快报
• 页码范围: 769-772
• 页数: 4页
• 分类号: TQ153.2
• 语种: 中文

摘要

研究采用模板法直流电沉积制备纳米铜丝阵列.基底选用阳极三氧化二铝硬模板,膜底磁控溅射1层薄铜层(1μm以下)做导电底衬,再利用直流电沉积法制备出纳米铜丝阵列.由此工艺所制备的纳米铜丝长度可达50μm左右、直径约为250 nm,丝阵含铜量高.讨论了阴极电流密度、阴极电位、模板类型、模板孔径等因素对纳米铜丝生长的影响,为惯性约束聚变(ICF)实验除金腔靶外的其它金属靶的研究提供了一种新方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜凯	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	72	527	11.0	19.0
2	万小波	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	25	174	9.0	12.0
3	方瑜	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	22	73	5.0	6.0
4	张伟	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	26	104	5.0	9.0
5	周兰	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	24	136	7.0	10.0
6	肖江	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	14	76	5.0	8.0