交流电化学沉积铜纳米线阵列及其机理探讨

• 作者: 周伟民 曹宏 李承勇 杨亮 王学华 陈归
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 交流电化学沉积 阳极氧化铝模板 铜纳米线阵列
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 20-23
• 分类号: O646.6|TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2010.08.006

摘要

利用二次阳极氧化的方法制备孔高度有序的阳极氧化铝(AAO)为模板,采用交流电化学沉积方法,在AAO模板孔道内制备Cu纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)对Cu纳米线的形貌、晶体结构进行研究.结果表明:模板的孔径均匀,孔道平直.Cu纳米线均匀分布在AAO模板纳米孔隙中,直径均一,并沿Cu(111)晶面择优生长;AAO模板孔道生长铜纳米线不光滑,成凹凸状,并对此沉积机理进行探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹宏	武汉工程大学材料科学与工程学院	74	348	11.0	14.0
2	王学华	武汉工程大学材料科学与工程学院	36	199	8.0	13.0
3	陈归	武汉工程大学材料科学与工程学院	3	26	3.0	3.0
4	李承勇	武汉工程大学材料科学与工程学院	5	57	4.0	5.0
5	杨亮	武汉工程大学材料科学与工程学院	4	40	3.0	4.0
6	周伟民		8	525	4.0	8.0