窄条宽MOCVD选区生长InP系材料

• 作者: 冯志伟 周帆 张瑞英 王圩 董杰 边静
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 窄条宽选区生长 MOCVD InP系材料 速率增强因子
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 399-402
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2966字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.04.013

摘要

报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积(NSAG-MOCVD)成功生长的InP系材料,并提出在NSAG-MOCVD生长研究中,引入填充因子的必要性,给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式,计算得出速率增强因子随填充因子的变化关系.与实验结果作了比较,发现InP的速率增强因子主要取决于掩膜宽度,InGaAsP的速率增强因子不仅与掩膜宽度有关,同时也依赖于生长厚度,且这种依赖性随掩膜宽度的增加而增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张瑞英	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	14	115	5.0	10.0
2	董杰	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	26	129	7.0	10.0
3	王圩	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	47	124	6.0	7.0
4	周帆	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	28	59	4.0	5.0
5	边静	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	9	10	2.0	3.0
6	冯志伟	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	3	11	1.0	3.0