InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长

• 作者: 张广泽 张洪波 李献杰 林涛 江李 王国宏 韦欣 马骁宇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 光电集成电路 异质结双极晶体管 激光二极管 磷化铟
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 319-323
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2812字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.019

摘要

为了生长制作器件所需的外延片,采用低压金属有机物化学气相沉积方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管(HBT)结构、1.55μm多量子阱激光二极管以及两者集成的光发射光电集成电路材料结构.激光器结构的生长温度为655℃,有源区为5个周期的InGaAsP/ InGaAsP多量子阱(阱区λ＝1.6μm,垒区λ＝1.28μm);HBT结构则采用550℃低温生长,其中基区采用Zn掺杂,掺杂浓度约为2×1019cm-3.对生长的各种结构分别进行了X射线双晶衍射,光致发光谱和二次离子质谱仪的测试,结果表明所生长的材料结构已满足制作器件的要求.