InP外延材料的MBE生长模式

• 作者: 姚江宏 徐波 曲胜春 林耀望 王占国 皮彪 舒永春 邢晓东
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 固态源分子束外延 InP 生长模式
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 28-32
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.1
• 字数: 549字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.006

摘要

采用固态磷源分子束外延技术,在不同的生长条件下生长了InP外延材料,并用原子力显微镜对样品表面形貌进行了系统研究.实验结果表明,样品表面形貌的显著变化与生长模式发生变化有关;二维(2D)生长模式和三维(3D)生长模式之间存在转换的临界工艺条件.通过对实验数据的分析,绘制了InP外延生长模式对应工艺条件的区域分布图;在2D生长区域获得了高质量的InP/InP外延材料.