MBE生长RTD材料的X射线双晶衍射研究

• 作者: NIU Chen-liang 商耀辉 张磊 杨瑞霞 武一宾 高金环
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: RTD X射线双晶衍射 MBE 回摆曲线
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 1184-1187
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.2
• 字数: 2622字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.015

摘要

用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17",GaAs层与In0.1Ga0.9As层的相对晶格失配率仅为0.015 6%.对实验样品进行了双晶衍射回摆曲线的模拟,模拟结果与测试结果符合较好,说明生长的RTD材料结构与设计相符合.通过制成器件对材料进行验证,室温下对器件进行直流测试,PVCR达到5.1,峰值电流密度达到73.6 kA/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武一宾	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	39	4.0	4.0
2	商耀辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	14	20	2.0	2.0
3	张磊		37	58	4.0	7.0
4	杨瑞霞		1	0	0.0	0.0
5	高金环		1	0	0.0	0.0
6	NIU Chen-liang		1	0	0.0	0.0