InP材料体系RTD的研制

• 作者: 商耀辉 张磊 杨克武 杨瑞霞 武一宾 贾科进 高金环
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧穿二极管 分子束外延 台面结构 InP衬底 PL谱 峰谷电流比
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 1168-1170
• 页数: 3页
• 分类号: TN312.2
• 字数: 2060字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.011

摘要

报道了InP衬底AlAs /In0.53Ga0.47As/AlAs结构共振隧穿二极管(RTD)的研制过程.衬底片选用(001)半绝缘InP单晶片,结构材料使用分子束外延(MBE)技术制备,并用PL谱对外延片进行测试,器件采用台面结构.测得RTD器件室温下的峰谷电流比(PVCR)为7.4,峰值电流密度(Jp)为1.06×105A/cm-2,是国内首例成功的InP材料体系RTD.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	杨克武	中国电子科技集团公司第十三研究所	26	186	6.0	13.0
3	武一宾	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	39	4.0	4.0
4	高金环	河北工业大学信息工程学院	11	12	2.0	2.0
6	张磊	河北工业大学信息工程学院	98	368	12.0	15.0
7	商耀辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	14	20	2.0	2.0
10	贾科进	河北工业大学信息工程学院	24	134	6.0	10.0