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摘要:
鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n+ GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构可适用于以输出端作为公用端的所有电路.
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文献信息
篇名 平面型RTD及其MOBILE的设计与研制
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 RTD 平面型RTD 离子注入 MOBILE
年,卷(期) 2006,(12) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 2167-2172
页数 6页 分类号 TN313.2
字数 3344字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.12.020
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研究主题发展历程
节点文献
RTD
平面型RTD
离子注入
MOBILE
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
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8
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