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平面型RTD及其MOBILE的设计与研制
平面型RTD及其MOBILE的设计与研制
作者:
冯震
商跃辉
宋瑞良
张世林
梁惠来
毛陆虹
牛萍娟
王伟
王国全
胡留长
郭维廉
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
RTD
平面型RTD
离子注入
MOBILE
摘要:
鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n+ GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构可适用于以输出端作为公用端的所有电路.
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内容分析
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相关文献总数
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文献信息
篇名
平面型RTD及其MOBILE的设计与研制
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
RTD
平面型RTD
离子注入
MOBILE
年,卷(期)
2006,(12)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
2167-2172
页数
6页
分类号
TN313.2
字数
3344字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.12.020
五维指标
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
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节点文献
RTD
平面型RTD
离子注入
MOBILE
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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