具有滞回特性RTD开关单元的分析研究与设计

• 作者: 吕伟锋 林弥 潘文剑
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 微分负阻 RTD 滞回特性曲线 忆阻器
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 13-17
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2019.01.003

摘要

负阻器件共振隧道二极管RTD和局部有源的忆阻器两者均在I-V特性上具有微分负阻NDR特性且具有多种阻态.根据该特性,研究并设计了基于RTD的开关单元电路,仿真结果显示:该单元电路具有与忆阻器部分相似的滞回特性、阈值电压以及高低阻态特征.分析了RTD的MOS-NDR网络中MOS管的沟道宽长比W/L参数变化对RTD开关单元滞回特性的影响.设计的RTD开关单元与忆阻器特性上具有相似性,可应用于门限忆阻器适用的逻辑电路、存储器、神经网络和RTD与忆阻器相结合的研究设计中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕伟锋	杭州电子科技大学电子信息学院	25	71	5.0	7.0
2	林弥	杭州电子科技大学电子信息学院	24	52	4.0	6.0
3	潘文剑	杭州电子科技大学电子信息学院	2	0	0.0	0.0