全固源分子束外延生长InP和InGaAsP

• 作者: 任在元 卢京辉 罗毅 郝智彪
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 InP InGaAsP
• 年，卷（期）: 2000,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1193-1197
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 3748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.12.009

摘要

在国产分子束外延设备的基础上,利用新型三温区阀控裂解源炉,对InP及InGaAsP材料的全固源分子束外延(SSMBE)生长进行了研究.生长了高质量的InP外延层,表面缺陷密度为65cm-2,非故意掺杂电子浓度约为1×1016cm-3.InP外延层的表面形貌、生长速率及p型掺杂特性与生长温度密切相关.研究了InGaAsP外延材料的组分特性,发现在一定温度范围内生长温度对Ⅲ族原子的吸附系数有较大影响.最后得到了晶格匹配的In0.56Ga0.4As0.04P06材料,低温光致发光谱峰位于1507 nm,FWHM为9.8 meV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗毅	集成光电子学国家重点实验室清华大学电子工程系	4	70	3.0	4.0
2	郝智彪	集成光电子学国家重点实验室清华大学电子工程系	2	17	2.0	2.0
3	卢京辉	集成光电子学国家重点实验室清华大学电子工程系	1	3	1.0	1.0
4	任在元	集成光电子学国家重点实验室清华大学电子工程系	1	3	1.0	1.0