高电子迁移率InP/InP外延材料的MBE生长

• 作者: 姚江宏 徐波 林耀望 王占国 皮彪 舒永春 许京军 邢小东
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 固态源分子束外延 高电子迁移率 InP/InP外延材料
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1485-1488
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.4
• 字数: 995字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.08.001

摘要

采用固态磷源分子束外延技术在InP(100)衬底上生长了高质量的InP外延材料.实验结果表明InP/InP外延材料的电学性质与诸多生长参数密切相关.根据霍耳测量结果,对生长条件和实验参数进行了优化,在生长温度为370℃,磷裂解温度为850℃,生长速率为0.791μm/h和束流比为2.5的条件下,获得了厚度为2.35μm的InP/InP外延材料.在77K温度下,电子浓度为1.55×1015cm-3,电子迁移率达到4.57×104cm2/(V·s).