MBE生长的InP DHBT的性能

• 作者: 于进勇 刘新宇 刘训春 徐安怀 王润梅 苏树兵 齐鸣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MBE Be掺杂InGaAs基区 磷化铟 双异质结双极晶体管
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 792-795
• 页数: 4页
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 1898字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.05.007

摘要

报道了一种自对准InP/InGaAs 双异质结双极晶体管的器件性能.成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件,其峰值共射直流增益超过300,残余电压约为0.16V,膝点电压仅为0.6V,而击穿电压约为6V.器件的截至频率达到80GHz,最大震荡频率为40GHz.这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	齐鸣	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	34	145	8.0	9.0
3	徐安怀	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	20	94	7.0	8.0
4	刘训春	中国科学院微电子研究所	43	222	9.0	11.0
5	王润梅	中国科学院微电子研究所	15	78	6.0	8.0
6	于进勇	中国科学院微电子研究所	9	91	8.0	9.0
7	苏树兵	中国科学院微电子研究所	6	59	5.0	6.0