分子束外延生长InAsSb材料的组分控制

• 作者: 姚官生 孙令 孙庆灵 曹先存 王文奇 王文新 王禄 贾海强 陈弘
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子束外延(MBE) 铟砷锑 组分控制
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 386-388
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2016.04.001

摘要

采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比As原子,Sb原子更易并入晶格中.利用该特性可较好实现InAsSb材料的组分控制.