原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善

• 作者: 宁东 封松林 朱海军 汪辉 王晓东 王海龙 郭忠圣
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 原子氢辅助分子束外延生长 深能级瞬态谱(DLTS) 深能级缺陷
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 191-193
• 页数: 3页
• 分类号: O4
• 字数: 2447字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2000.03.008

摘要

利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了常规分子束外延和原子氢辅助分子束外延生长的掺杂Si和Be的GaAs同质结构样品中缺陷的电学特性.发现原子氢辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低,这可解释为生长过程中原子氢对缺陷的原位中和与钝化作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	封松林		44	296	8.0	16.0