1.5微米波段GaAs基异变InAs量子点分子束外延生长

• 作者: 任正伟 王鹏飞 贺振宏 魏全香
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 异变 InAs量子点 分子束外延 发光波长
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 816-820
• 分类号: O484.1|O472+.3|O472+.8|O433.4
• 语种: 中文

摘要

1.55微米波段GaAs基近红外长波长材料在光纤通讯,高频电路和光电集成等领域有潜在的应用价值.本文用分子束外延方法研究了GaAs基异变InAs量子点材料的生长,力图实现在拓展量子点发光波长的同时保持或增加InAs量子点的密度.在实验中,首先优化了In0.15GaAs异变缓冲层的生长,研究了生长温度和退火对减少穿通位错的作用.在此基础上,优化了长波长InAs量子点的生长.最终在GaAs基上获得了温室发光波长在1491rim,半高宽为27.73meV,密度达到4×1010cm-2的InAs量子点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏全香	山西大学物理电子工程学院	11	28	3.0	5.0
2	王鹏飞	中国科学院半导体研究所	57	238	11.0	13.0
3	任正伟	中国科学院半导体研究所	9	25	3.0	4.0
4	贺振宏	中国科学院半导体研究所	5	7	1.0	2.0