分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性

• 作者: 孙彦 方志丹 牛智川 苗振华 龚政
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 应力缓冲层 半高宽 光致荧光谱
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 384-386
• 页数: 3页
• 分类号: O471.1
• 字数: 1604字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.040

摘要

研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性.加InAlAs层后PL谱红移到1.33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV.高In组份的InAlAs有利于获得较长波长和较窄的半高宽(FWHM).对于覆盖复合应力缓冲层的QD不会使波长和FWHM发生显著变化,但可以使基态和第一激发态间的能级差进一步增大.这些结果归因于InAlAs能够有效的抑制In的偏析,减少应力,使QD保持较高的高度.同时,由于InAlAs具有较高的限制势垒,可以增加基态和第一激发态间的能级差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛智川	中国科学院半导体研究所	45	124	5.0	8.0
2	苗振华	中国科学院半导体研究所	5	2	1.0	1.0
3	孙彦	大同大学物理系	2	2	1.0	1.0
4	方志丹	中国科学院半导体研究所	3	1	1.0	1.0
5	龚政	中国科学院半导体研究所	3	1	1.0	1.0