InGaAs/GaAs自组织量子点光致发光特性研究

• 作者: 封松林 牛智川 王晓东 苗振华
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 关键词: InAs/GaAs自组织量子点,光荧光,分子束外延,InGaAs覆盖 层
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 20-24
• 页数: 5页
• 字数: 3653字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2001.01.005

摘要

用PL谱测试研究了GaAs和不同In组份InxGa1-xAs(x=0.1,0.2,0.3)覆盖层对分子束外延生长的InAs/GaAs自 组织量子点发光特性的影响.用InxGa1-xAs外延层覆盖InAs/GaAs量子点, 比用GaAs做覆盖层其发光峰能量向低能端移动,发光峰半高宽变窄,量子点发光峰能量随温度 的红移幅度变小.理论计算证实这是由于覆盖层InxGa1-xAs减小了InAs表 面应力导致发光峰红移,而In元素有效抑制了InAs/GaAs界面组份的混杂,量子点的均匀性得 到改善,PL谱半高宽变窄.用InGaAs覆盖的In0.5Ga0.5As/GaAs自组织量子点实 现了1.3μm发光,室温下PL谱半高宽为19.2meV,是目前最好的实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓东	中国科学院半导体研究所	198	1467	19.0	28.0
2	封松林	中国科学院半导体研究所	44	296	8.0	16.0
3	牛智川	中国科学院半导体研究所	45	124	5.0	8.0
4	苗振华	中国科学院半导体研究所	5	2	1.0	1.0