SiGe材料系自组织Ge量子点研究

• 作者: 王启明 黄昌俊
• 来源期刊: 中国科学院研究生院学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ge量子点 Si基光电子 自组织纳米微结构 异质外延生长
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 优秀博士论文
• 页码范围: 510-516
• 页数: 7页
• 分类号: O47|TN2
• 字数: 477字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-1175.2003.04.019

摘要

在当今Si基光电子研究中,SiGe材料系自组织Ge量子点是最有希望对Si材料运用能带工程实现人工改性的途径之一.Ge在Si上4.2%的晶格失配可以制造大小尺寸不同的纳米结构,还可适应其他多种器件需要.对自组织Ge量子点的形成过程、形貌演化、光学和电学性质,以及提高量子点平面排布有序性的方法进行了系统的分析和研究,并着重介绍了实验中发现的新现象、新模型和新方法,其中包括量子点的反常形状跃迁、自覆盖效应、Ge/Si量子点的Ⅱ型能带结构、Ge/Si量子点的载流子热弛豫模型和纳米尺寸的周期性图形衬底的全息制备方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电国家重点实验室	118	735	14.0	20.0
2	黄昌俊	中国科学院半导体研究所集成光电国家重点实验室	6	33	3.0	5.0