自组织SiGe量子环的生长与形貌维持

• 作者: 李防化 蒋最敏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 量子环 SiGe MBE
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 148-150
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2063字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.036

摘要

研究了640℃部分覆盖SiGe量子点时量子点向量子环的转变.从应变的角度解释了量子环的形成机制.研究发现在350℃以下覆盖量子环时可以使量子环形貌得到很好的维持.从动力学的角度解释了低温下覆盖SiGe量子环时其形貌得到维持的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋最敏	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	24	93	5.0	9.0
2	李防化	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	1	0	0.0	0.0