Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

• 作者: 庞世谨 张永平 解思深 闫隆 高鸿钧
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 锗,硅,扫描隧道显微镜 自组织生长
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 296-299
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 1520字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.017

摘要

用扫描隧道显微镜研究了Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长.室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点.由于Ge在Si(111)-(7×7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高鸿钧	中国科学院物理研究所凝聚态物理中心北京真空物理实验室	44	262	10.0	14.0
2	张永平	中国科学院物理研究所凝聚态物理中心北京真空物理实验室	6	26	3.0	5.0
3	解思深	中国科学院物理研究所凝聚态物理中心北京真空物理实验室	35	367	10.0	18.0
4	庞世谨	中国科学院物理研究所凝聚态物理中心北京真空物理实验室	4	6	1.0	2.0
5	闫隆	中国科学院物理研究所凝聚态物理中心北京真空物理实验室	11	17	2.0	4.0