Ge/Si量子点的控制生长

• 作者: 张学贵 杨宇 杨杰 潘红星 王茺 靳映霞
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅缓冲层 锗量子点 离子束溅射
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 416-420,454
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1
• 字数: 4111字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2012.00416

摘要

采用离子束溅射技术,在生长了Si缓冲层的硅晶片上制备了一系列Ge量子点样品.借助原子力显微镜(AFM)和Raman光谱等测试手段研究了Ge/Si量子点生长密度、尺寸及排列均匀性的演变规律.结果表明,改变Si缓冲层厚度及其生长方式,可以有效控制量子点的尺寸、均匀性和密度.随缓冲层厚度增大,量子点密度先增大后减小,停顿生长有利于提高缓冲层结晶性,从而提高量子点的密度,可以达到1.9×1010 cm-2.还研究了Si缓冲层在Ge量子点生长过程中的作用,并提出了量子点的生长模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨杰	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	30	63	4.0	6.0
3	王茺	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
4	靳映霞	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	22	112	6.0	9.0
5	潘红星	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	4	19	3.0	4.0
11	张学贵	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	2	18	2.0	2.0