nc-Si/SiO2球形量子点的三阶极化率

• 作者: 刘明强 杨小儒 郭震宁
• 来源期刊: 华侨大学学报（自然科学版）
• 关键词: 量子点 无限深势阱 三阶极化率 nc-Si/SiO2
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 143-146
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.3
• 语种: 中文

摘要

在有效质量近似下,采用无限深势阱,理论计算nc-Si/SiO2球形量子点导带中的电子束缚态,并利用紧束缚密度矩阵理论,推导出共振三阶极化率的表达式.通过数值模拟,分析讨论nc-Si/SiO2球形量子点的三阶极化率与量子点半径、入射光子的能量和弛豫相的关系.结果表明,在强受限中,三阶极化率与量子点半径、入射光子能量和弛豫相有着显著的关系.随着量子点半径的增大、入射光子能量的增大和弛豫相的减小,三阶极化率都有不同程度的增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭震宁	华侨大学信息科学与工程学院	61	336	10.0	15.0
2	刘明强	华侨大学信息科学与工程学院	3	26	2.0	3.0
3	杨小儒	华侨大学信息科学与工程学院	4	28	2.0	4.0