生长温度对Si基Ge量子点VLP-CVD自组织生长的影响

• 作者: 刘晓勇 吴军 施毅 朱顺明 江宁 王牧 郑有炓 闵乃本 顾书林
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 化学
• 关键词: Ge量子点 超低压化学气相淀积 自组织生长
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究通讯
• 页码范围: 34-37
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 1808字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2000.04.009

摘要

对利用超低压化学气相淀积(VLP-CVD)技术在Si上自组织生长Ge量子点的特征进行了研究,发现生长温度对Ge量子点尺寸分布和密度的影响不同于分子束外延(MBE)的结果,这种现象与VLP-CVD表面控制反应模式有关.实验表明,选择适当的生长温度可以在Si上自组织生长具有窄尺寸分布和高密度的Ge量子点.