退火过程中自组织生长Ge量子点的变化

• 作者: 张翔九 杨建树 胡冬枝 胡际璜 蒋最敏 蔡群
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 硅基材料 形貌评价 AFM
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 561-564
• 页数: 4页
• 分类号: O485
• 字数: 376字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.06.001

摘要

在超高真空系统中,用扫描隧道显微镜(STM)和原子力显微镜(AFM)研究了自组织生长的Ge量子点经不同温度退火后的变化.实验发现,当退火温度为630℃时,出现了许多新的量子点.与原来的在分子束外延过程中形成的无失配位错的量子点相比,新形成的量子点被认为是存在位错的岛.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡冬枝	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	5	18	3.0	4.0
2	蒋最敏	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	24	93	5.0	9.0
3	张翔九	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	6	16	3.0	4.0
4	蔡群	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	3	7	2.0	2.0
5	杨建树	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	2	6	2.0	2.0
6	胡际璜	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	2	3	1.0	1.0