InAs自组织生长量子点的空穴俘获势垒

• 作者: 宁东 封松林 朱海军 王海龙 陈枫
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 深能级瞬态谱(DLTS) 自组织生长量子点 InAs/GaAs
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 页码范围: 397-401
• 分类号: TN2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.1999.05.011

摘要

成功地用深能级瞬态谱(DLIS)研究了p型InAs 自组织生长的量子点的电学性质,测得2.5原子层InAs量子点空穴基态能级在GaAs价带底上约0.09eV,该量子点在荷电状态发生变化时需要克服一个势垒,俘获势垒高度为0.26eV.本工作首次利用DLTS测定了量子点空穴的基态能级和俘获势垒,相信对增加量子点性质的理解会起到有益的帮助.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	封松林	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	44	296	8.0	16.0
2	王海龙	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	35	356	10.0	18.0
3	朱海军	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	3	0	0.0	0.0
4	陈枫	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	3	1	1.0	1.0
5	宁东	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	1	0	0.0	0.0