量子阱中InAs/In1-xGaxAs自组织量子点的电子结构

• 作者: 刘承师 王立民 马本堃
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 点在阱中 电子结构 光致发光峰波长
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 500-505
• 页数: 6页
• 分类号: O471.1
• 字数: 3586字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2002.04.015

摘要

采用有效质量近似和绝热近似,计算了量子阱中InAs/In1-xGaxAs自组织量子点(点在阱中,DWELL)的电子结构和光学性质. 结果表明,电子能级随受限势的增大而升高,并随着量子点的尺寸的增大而降低,而且量子阱的宽度和量子点浸润层的厚度增加也会导致能级有所降低. 说明DWELL结构参数变化会使光致发光峰发生相应的蓝移或红移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘承师	北京师范大学物理学系	7	10	2.0	2.0
2	马本堃	北京师范大学物理学系	17	27	3.0	4.0
3	王立民	北京师范大学物理学系	5	13	3.0	3.0