不同组分InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响

• 作者: 刘会(X) 封松林 牛智川 王晓东
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 盖层 应力 红移
• 年，卷（期）: 2000,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 2230-2234
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2684字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.11.022

摘要

研究了不同In组分的InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响.透射电子显微镜和原子力显微镜表明,InAs量子点在InGaAs做盖层时所受应力较GaAs盖层时有所减小,并且x＝0.3时,InGaAs在InAs量子点上继续成岛.随x值的增大,量子点的光荧光峰红移,但随温度的变化发光峰峰位变化不明显.理论分析表明InAs量子点所受应力及其均匀性的变化分别是导致上述现象的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓东	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	198	1467	19.0	28.0
2	封松林	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	44	296	8.0	16.0
3	牛智川	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	45	124	5.0	8.0
4	刘会(X)	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	1	3	1.0	1.0