衬底温度和生长速率对MBE自组织生长InxGa1-xAs/GaAs QD的影响

• 作者: 于磊 周宏伟 孔梅影 曾一平 李晋闽 李灵霄 潘量
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InxGa1-xAs/GaAs量子点(QD) 自组织生长 衬底温度 生长速率
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 652-656
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3095字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.07.005

摘要

研究GaAs基InxGa1-xAs/GaAs量子点(QD)的MBE生长条件,发现在一定的Ⅴ/Ⅲ比下,衬底温度和生长速率是影响InxGa1-xAs/GaAsQD形成及形状的一对重要因素,其中衬底温度直接影响着In的偏析程度,决定了InxGa1-xAs/GaAs的生长模式;生长速率影响着InxGa1-xAs外延层的质量,决定了InxGa1-xAs/GaAsQD的形状及尺寸.通过调节衬底温度和生长速率生长出了形状规则、尺寸较均匀的InxGa1-xAs/GaAsQD(x＝0.3).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所新材料部	75	652	13.0	23.0
2	曾一平	中国科学院半导体研究所新材料部	85	439	11.0	16.0
3	于磊	中国科学院半导体研究所新材料部	39	484	10.0	21.0
4	孔梅影	中国科学院半导体研究所新材料部	22	29	3.0	5.0
5	潘量	中国科学院半导体研究所新材料部	2	12	2.0	2.0
6	周宏伟	中国科学院半导体研究所新材料部	11	46	4.0	6.0
7	李灵霄	中国科学院半导体研究所新材料部	1	2	1.0	1.0